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starpower0418PCIM Salão 9 estande 441

Os principais fatores que tornam o uso de carboneto de silício interessante sobre o silício como material semicondutor são as perdas comparativamente baixas em freqüências de comutação mais altas e operação possível a temperaturas de junção significativamente mais altas. Apresentado com o MD350HFR120B3S Star Power um módulo mosfet especialmente otimizado para os benefícios da tecnologia de chip de carboneto de silício.

Na tecnologia de conexão, a sinterização é usada de maneira direcionada, o que, em contraste com as conexões soldadas padrão, garante uma confiabilidade de longo prazo significativamente maior. Além disso, a tecnologia de sinterização, em conjunto com otimizações adicionais na caixa, permite uma temperatura máxima de junção Tjmax de 200 ° C - uma novidade para módulos padrão desta classe de desempenho.

Além disso, a estrutura do pacote foi otimizada para baixa indutância de vazamento, alcançando um valor de 8 nH. Como um dos poucos módulos disponíveis no mercado, o MD350HFR120B3S possibilita a transferência dos benefícios do carboneto de silício para uso na tecnologia de módulos.


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